高气压下温度对金刚石膜择优取向的影响
来源期刊：材料科学与工程学报2015年第5期
论文作者：周学芹 史玉芬 李坤
文章页码：711 - 1442
关键词：MPCVD;金刚石膜;沉积温度;择优取向;
摘 要：采用自主改进的圆柱谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源、反应腔压强30kPa、微波功率6kW、CH4浓度2%,在不同的沉积温度下进行了多晶金刚石膜的制备研究。采用扫描电镜、X-射线衍射技术对所制备样品的表面形貌、物相及晶面取向进行了分析。结果表明,在高气压条件下,沉积温度由800℃升高至900℃时,金刚石膜的表面形貌由（111）晶面择优取向逐渐转向（100）晶面择优取向;沉积温度由900℃升高至1050℃时,金刚石的表面形貌由（100）晶面择优取向逐渐转向（111）晶面择优取向。
周学芹1,2，史玉芬1,2，李坤1
1. 常州大学材料科学与工程学院
摘 要：采用自主改进的圆柱谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源、反应腔压强30kPa、微波功率6kW、CH4浓度2%,在不同的沉积温度下进行了多晶金刚石膜的制备研究。采用扫描电镜、X-射线衍射技术对所制备样品的表面形貌、物相及晶面取向进行了分析。结果表明,在高气压条件下,沉积温度由800℃升高至900℃时,金刚石膜的表面形貌由（111）晶面择优取向逐渐转向（100）晶面择优取向;沉积温度由900℃升高至1050℃时,金刚石的表面形貌由（100）晶面择优取向逐渐转向（111）晶面择优取向。
关键词：MPCVD;金刚石膜;沉积温度;择优取向;
