冲击荷载下PZT5电畴翻转研究

来源期刊：功能材料2017年第7期

论文作者：钱霖 张峰 徐先洋 陈江瑛

文章页码：7093 - 14200

关键词：电畴翻转;PZT5;SHPB技术;电滞回线;XRD;

摘    要：利用分离式霍普金森压杆(SHPB)测量装置,结合谐振频率、电滞回线、X射线衍射3种方法对PZT5在冲击荷载作用下的电畴翻转进行实验分析。研究表明,在冲击荷载作用下,PZT5的应力应变曲线和应力电位移曲线存在明显的相似性;冲击前后PZT5的谐振频率、矫顽电场的差值以及90°畴变百分比都随着应变率的增加而增加;压电陶瓷内部90°畴变百分比随着最大应力逐渐增加,当最大应力达到180 MPa左右,PZT5内部电畴翻转明显加剧。