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LGS晶体的化学腐蚀及缺陷分布

来源期刊：功能材料2003年第2期

论文作者：李军胡小波孔海宽江怀东张怀金高磊黄庆捷葛文伟王继扬

关键词：La3Ga5SiO14; 化学腐蚀; 缺陷; 提拉法;

摘要：采用提拉法生长得到LGS单晶,采用磷酸作腐蚀剂,对LGS晶体做了一系列腐蚀实验.实验结果表明:对于不同方向晶面,腐蚀液的配比和腐蚀时间等条件各不相同.根据腐蚀坑可以判定.其极轴是二次轴[1120]方向,并可具体确定极轴方向.关于腐蚀坑的分布可以判定,在现行条件下生长的晶体具有较高的质量.

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李军¹，胡小波²，孔海宽²，江怀东²，张怀金²，高磊²，黄庆捷²，葛文伟²，王继扬²

(1.山东中晶光电子公司,山东,济南,250100;
2.山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100)

摘要:采用提拉法生长得到LGS单晶,采用磷酸作腐蚀剂,对LGS晶体做了一系列腐蚀实验.实验结果表明:对于不同方向晶面,腐蚀液的配比和腐蚀时间等条件各不相同.根据腐蚀坑可以判定.其极轴是二次轴[1120]方向,并可具体确定极轴方向.关于腐蚀坑的分布可以判定,在现行条件下生长的晶体具有较高的质量.

关键词:La3Ga5SiO14; 化学腐蚀; 缺陷; 提拉法;

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