自组装单分子膜的末端基团对化学气相沉积铜薄膜的影响
来源期刊：材料科学与工程学报2008年第4期
论文作者：包杰琼 刘铮铮 王琦 刘鑫
关键词：材料表面与界面; 自组装单分子膜(SAMs); 末端官能团; 铜薄膜; 化学气相沉积;
摘 要：利用化学气相沉积(CVD)的方法在自组装单分子膜(SAMs)修饰的SiO2表面沉积铜薄膜,并对得到的铜薄膜的性质进行表征与分析.通过比较研究发现:在沉积过程中,SAMs的末端基团作为铜沉积的反应位点,末端基团与铜之间的相互作用力越强,则铜在基材表面的沉积与附着能力越强,而且SAMs阻挡铜原子扩散进入硅内部的效果越好.而SAMs的生长取向也会对铜沉积时的晶型产生影响.
包杰琼1，刘铮铮1，王琦1，刘鑫1
(1.浙江大学,化学系,浙江,杭州,310027)
摘要:利用化学气相沉积(CVD)的方法在自组装单分子膜(SAMs)修饰的SiO2表面沉积铜薄膜,并对得到的铜薄膜的性质进行表征与分析.通过比较研究发现:在沉积过程中,SAMs的末端基团作为铜沉积的反应位点,末端基团与铜之间的相互作用力越强,则铜在基材表面的沉积与附着能力越强,而且SAMs阻挡铜原子扩散进入硅内部的效果越好.而SAMs的生长取向也会对铜沉积时的晶型产生影响.
关键词:材料表面与界面; 自组装单分子膜(SAMs); 末端官能团; 铜薄膜; 化学气相沉积;
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