Sn催化的Ga掺杂ZnO纳米线的制备及其光致发光性能研究

陆映东¹，常永勤¹，张敬民²，王明文³，郭佳林¹，王永威¹，龙毅¹

1. 北京科技大学材料科学与工程学院2. 北京大学物理学院3. 北京科技大学应用学院

摘 要：采用化学气相沉积的方法,以Sn粉为催化剂制备出大长径比的Ga掺杂ZnO纳米线。采用扫描电子显微镜观察制备的产物,发现样品为直径约25～90nm的纳米线。通过比较不同Ga掺杂含量样品的室温光致发光谱,发现一定掺杂含量的Ga可以提高ZnO纳米线的紫外发光强度,同时,Ga的掺杂也会引起ZnO紫外发光峰的蓝移。随着Ga含量的增加,蓝移程度越来越小,甚至发生红移。Sn的引入只对Ga掺杂ZnO纳米线的蓝绿光有贡献。

关键词：Ga掺杂ZnO纳米线;光致发光;化学气相沉积;