发射极δ掺杂的InGaAs/InPDHBT的特性分析
来源期刊：功能材料与器件学报2003年第4期
论文作者：陈雷东 曹俊诚 李爱珍 徐安怀 齐鸣
关键词：InGaAs/InP HBT; δ掺杂层; 阻挡层; N+高掺杂的复合集电极; I- V输出特性;
摘 要：设计了一种新结构的InGaAs/InP双异质结晶体管(DHBT),其中发射结采用δ掺杂和阻挡层结构,集电极采用N+掺杂复合结结构.考虑隧穿作用和发射结空间电荷区复合电流的影响,计算了δ掺杂浓度和N+、n-层厚度等参数变化对InGaAs/InP DHBT电流、I-V输出特性、电流增益的影响,计算结果表明,随着这些参数值增大,InGaAs/InP DHBT输出特性逐渐改善.当δ掺杂浓度大于2×1012cm-3时,电流增益趋于饱和.
陈雷东1，曹俊诚1，李爱珍1，徐安怀1，齐鸣1
(1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050)
摘要:设计了一种新结构的InGaAs/InP双异质结晶体管(DHBT),其中发射结采用δ掺杂和阻挡层结构,集电极采用N+掺杂复合结结构.考虑隧穿作用和发射结空间电荷区复合电流的影响,计算了δ掺杂浓度和N+、n-层厚度等参数变化对InGaAs/InP DHBT电流、I-V输出特性、电流增益的影响,计算结果表明,随着这些参数值增大,InGaAs/InP DHBT输出特性逐渐改善.当δ掺杂浓度大于2×1012cm-3时,电流增益趋于饱和.
关键词:InGaAs/InP HBT; δ掺杂层; 阻挡层; N+高掺杂的复合集电极; I- V输出特性;
【全文内容正在添加中】
