电子辐照对直拉硅中氧沉淀的影响
来源期刊：材料导报2008年增刊第3期
论文作者：蔡莉莉 李晶
关键词：电子辐照; 氧沉淀; 快速热处理(RTP); 清洁区(DZ);
摘 要：主要研究了1.5MeV、剂量为3.5×1017e/cm2的电子辐照后的直拉硅经后续高温热处理,其体内氧沉淀的变化情况以及清洁区的形成.结果表明,电子辐照促进了直拉硅中氧沉淀的生成,而且经过快速热处理再加上高温一步退火,电子辐照后的直拉硅内形成一定宽度的清洁区,而且清洁区的宽度随快速热处理温度的升高而变窄.
蔡莉莉1，李晶1
(1.华北科技学院基础部物理教研室,北京,101601)
摘要:主要研究了1.5MeV、剂量为3.5×1017e/cm2的电子辐照后的直拉硅经后续高温热处理,其体内氧沉淀的变化情况以及清洁区的形成.结果表明,电子辐照促进了直拉硅中氧沉淀的生成,而且经过快速热处理再加上高温一步退火,电子辐照后的直拉硅内形成一定宽度的清洁区,而且清洁区的宽度随快速热处理温度的升高而变窄.
关键词:电子辐照; 氧沉淀; 快速热处理(RTP); 清洁区(DZ);
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