RHEED实时监控下MBE生长不同In组分的InGaAs薄膜

罗子江^1,2，周勋^1,3，贺业全¹，何浩¹，郭祥¹，张毕禅¹，邓朝勇¹，丁召¹

1. 贵州大学理学院2. 贵州财经学院教育管理学院3. 贵州师范大学物理与电子科学学院

摘 要：利用分子束外延技术,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,固定Ga源温度、改变In源温度在GaAs（001）基片上外延生长了不同In组分（39%、29%、19%）的InGaAs薄膜。比较RHEED强度振荡以及RHEED衍射图像,发现随着In组分的增加In-GaAs的生长将很快进入三维粗糙表面生长模式,并指出In0.19Ga0.81As和In0.29Ga0.71As薄膜处于（2×3）表面重构相。In0.19Ga0.81As样品进行退火处理后完成STM扫描分析,证实样品为表面原子级平整的In-GaAs薄膜。

关键词：MBE;RHEED;STM;InGaAs薄膜;