InP(001)基衬底上自组织生长InAs量子点(线)的光学性质研究
来源期刊：材料研究学报2003年第6期
论文作者：贾锐 李月法 武光明 朱江
关键词：材料科学基础学科; InAs自组织量子点(线); 光致发光光谱; 浸润层;
摘 要：在InP(001)基衬底上用分子束外延方法生长InAs纳米结构材料,通过衬底的旋转与否及混合生长模式,得到了两种InAs量子点和量子线,并研究了量子点、线的光学性质.结果表明,两种方式都可生长出较强发光的量子点(线);由量子点排列构成的量子线的光致发光光谱呈现出多峰结构,分析和理论计算表明这是InAs量子线上各量子点在垂直方向上不同高度分布和非连续性而造成的.
贾锐1，李月法2，武光明3，朱江3
(1.中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室;
2.中国科学院半导体研究所;
3.北京石油化工学院)
摘要:在InP(001)基衬底上用分子束外延方法生长InAs纳米结构材料,通过衬底的旋转与否及混合生长模式,得到了两种InAs量子点和量子线,并研究了量子点、线的光学性质.结果表明,两种方式都可生长出较强发光的量子点(线);由量子点排列构成的量子线的光致发光光谱呈现出多峰结构,分析和理论计算表明这是InAs量子线上各量子点在垂直方向上不同高度分布和非连续性而造成的.
关键词:材料科学基础学科; InAs自组织量子点(线); 光致发光光谱; 浸润层;
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