隧道磁电阻效应的原理及应用
来源期刊：材料导报2009年增刊第2期
论文作者：拜山·沙德克 吉吾尔·吉里力
关键词：隧道磁电阻效应; 磁隧道结; MgO; Al2O3; tunneling magnetoresistance; magnetic tunneling junction; MgO; Al2O3;
摘 要：隧道磁电阻具有饱和磁场低、工作磁场小、灵敏度高、温度系数小等优点,在磁随机存取存储器(MRAM)、TMR磁头和磁传感器等自旋电子器件上颇受欢迎,有着广阔的应用前景.重点介绍了隧道磁电阻效应中自旋相关输运特点及原理,阐述了最近几年国内外最新研究进展,最后讨论了隧道磁电阻效应在实际应用中所面临的一些问题.
拜山·沙德克1，吉吾尔·吉里力1
(1.新疆大学物理科学与技术学院,乌鲁木齐,830046)
摘要:隧道磁电阻具有饱和磁场低、工作磁场小、灵敏度高、温度系数小等优点,在磁随机存取存储器(MRAM)、TMR磁头和磁传感器等自旋电子器件上颇受欢迎,有着广阔的应用前景.重点介绍了隧道磁电阻效应中自旋相关输运特点及原理,阐述了最近几年国内外最新研究进展,最后讨论了隧道磁电阻效应在实际应用中所面临的一些问题.
关键词:隧道磁电阻效应; 磁隧道结; MgO; Al2O3; tunneling magnetoresistance; magnetic tunneling junction; MgO; Al2O3;
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