Ce掺杂Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3薄膜表面结构XPS研究
来源期刊：稀有金属材料与工程2009年第11期
论文作者：傅向军 田忠 王洪全 张佳 廖家轩 潘笑风
关键词：铈掺杂; 钛酸锶钡薄膜; 钙钛矿结构; 介电性能; cerium doping; barium strontium titanate film; perovskited structure; dielectric properties;
摘 要：用改进的溶胶-凝胶法制备铈(Ce)掺杂和非掺杂2种钛酸铝钡(Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3,BST)薄膜,用X射线光电子能谱(XPS)研究薄膜的表面结构.XPS结果表明,BST薄膜的表面结构由钙钛矿结构和非钙钛矿结构组成,铈掺杂显著地减少了非钙钛矿结构.扫描电镜及原子力显微镜观察表明,掺杂BST薄膜光滑致密无裂纹.电压-电容曲线表明,掺杂BST薄膜的介电性能大幅度提高,在40V外加电压下介电调谐率达60.8%,零偏压下的介电损耗为0.0265.同时,就非钙钛矿结构的成因及Ce掺杂BST薄膜的有关改善机制进行了讨论.
傅向军1，田忠1，王洪全1，张佳1，廖家轩1，潘笑风1
(1.电子科技大学,四川,成都,610054)
摘要:用改进的溶胶-凝胶法制备铈(Ce)掺杂和非掺杂2种钛酸铝钡(Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3,BST)薄膜,用X射线光电子能谱(XPS)研究薄膜的表面结构.XPS结果表明,BST薄膜的表面结构由钙钛矿结构和非钙钛矿结构组成,铈掺杂显著地减少了非钙钛矿结构.扫描电镜及原子力显微镜观察表明,掺杂BST薄膜光滑致密无裂纹.电压-电容曲线表明,掺杂BST薄膜的介电性能大幅度提高,在40V外加电压下介电调谐率达60.8%,零偏压下的介电损耗为0.0265.同时,就非钙钛矿结构的成因及Ce掺杂BST薄膜的有关改善机制进行了讨论.
关键词:铈掺杂; 钛酸锶钡薄膜; 钙钛矿结构; 介电性能; cerium doping; barium strontium titanate film; perovskited structure; dielectric properties;
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