基片温度对Co掺杂ZnO薄膜室温铁磁性的影响
来源期刊：稀有金属材料与工程2008年第5期
论文作者：吕宝华 许小红 江凤仙 李小丽 王朱良 田宝强
关键词：Co掺杂的ZnO薄膜; 磁控共溅射; 基片温度; 铁磁性; Co-doped ZnO films; magnetron CO-sputtering; substrate temperature; ferromagnetism;
摘 要：采用磁控共溅射法在Al2O3(0001)基片上沉积了Zn1-xCoxO(x=0.08～0.3%)薄膜,研究了基片温度对Co掺杂ZnO薄膜结构和磁性的影响.结果表明:Al2O3(001)基片很好地诱导了ZnCoO薄膜(002)取向生长,并且所有的薄膜均显示室温铁磁性.较低的基片温度不仅能有效抑制薄膜中Co2O3杂质相的产生,而且薄膜磁矩较大.紫外-可见光谱也表明,薄膜中Co2+取代了ZnO中Zn2+的位置.
吕宝华1，许小红1，江凤仙1，李小丽3，王朱良1，田宝强1
(1.山西师范大学,山西,临汾,041004;
2.太原理工大学,山西,太原,030024;
3.山西师范大学,山西,临汾,041004太原理工大学,山西,太原,030024)
摘要:采用磁控共溅射法在Al2O3(0001)基片上沉积了Zn1-xCoxO(x=0.08～0.3%)薄膜,研究了基片温度对Co掺杂ZnO薄膜结构和磁性的影响.结果表明:Al2O3(001)基片很好地诱导了ZnCoO薄膜(002)取向生长,并且所有的薄膜均显示室温铁磁性.较低的基片温度不仅能有效抑制薄膜中Co2O3杂质相的产生,而且薄膜磁矩较大.紫外-可见光谱也表明,薄膜中Co2+取代了ZnO中Zn2+的位置.
关键词:Co掺杂的ZnO薄膜; 磁控共溅射; 基片温度; 铁磁性; Co-doped ZnO films; magnetron CO-sputtering; substrate temperature; ferromagnetism;
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