Y₂O₃插层对Ni₈₁Fe₁₉薄膜各向异性磁电阻的影响

来源期刊：磁性材料及器件2015年第5期

论文作者：黄华雪 王书运 姚远 高铁军

文章页码：10 - 13

关键词：Ni81Fe19薄膜;各向异性磁电阻;Y2O3插层;

摘    要：以Y₂O₃作为Ni₈₁Fe₁₉薄膜的氧化插层,利用磁控溅射法制备了一系列不同插层厚度的Ni₈₁Fe₁₉薄膜样品Ta（4nm）/Y₂O₃（t）/Ni₈₁Fe₁₉（20nm）/Y2O3（t）/Ta（3nm）,利用非共线四探针法测量薄膜样品的各向异性磁电阻（AMR）,用振动样品磁强计测量样品的磁滞回线,利用X射线衍射仪（XRD）分析样品薄膜结构,研究了Y₂O₃插层厚度对Ni₈₁Fe₁₉薄膜各向异性磁电阻的影响。结果表明,在基片温度为450℃时,Ni₈₁Fe₁₉薄膜AMR值随插层厚度增加先增后减,在插层厚度为2.5nm时样品具有最大AMR,其值为4.61%,比无插层样品的2.69%提高了71.3%。