磁控溅射制备SiC薄膜及其高温抗氧化性

来源期刊：材料热处理学报2013年第S1期

论文作者：李辉 李合琴 胡仁杰 张元元

文章页码：135 - 138

关键词：SiC薄膜;射频磁控溅射;SiO2;抗氧化性;

摘    要：用射频磁控溅射法在单晶Si(100)基片上制备了SiC薄膜。将制备的薄膜分别在800、900和1000℃空气气氛中退火120 min。用X射线衍射仪和傅里叶变换红外光谱仪测试了薄膜的结构,用X射线光电子能谱仪测试了薄膜元素的组成和状态,用场发射扫描电子显微镜测试了薄膜表面的形貌。结果表明:经800℃空气退火后,薄膜表面生成了一层SiO2保护层,阻止了内部SiC薄膜的继续氧化,因此SiC薄膜在800℃具有较好的高温抗氧化性;随着退火温度的升高,SiC薄膜被进一步氧化,经1000℃空气退火后,薄膜已大部分转变为SiO2。