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离子束辅助沉积氧化镁薄膜

来源期刊:稀有金属材料与工程2001年第3期

论文作者:吕晓军 郑德修 喻志农

关键词:MgO薄膜; 离子束辅助沉积; 结晶; 薄膜特性;

摘    要:为了获得等离子体显示器的介质保护膜,利用离子束辅助沉积技术制备了致密的MgO薄膜;通过X射线衍射仪、扫描电镜、光电子能谱分析了MgO薄膜的特性及特性和工艺参数之间的关系.结果表明:薄膜主要显示(200)晶面的择优取向;从断面形貌、密度及折射率来看,离子束辅助沉积制备的MgO薄膜比电子束蒸发制备的MgO薄膜更致密,薄膜和基底间的结合力更强:离子能量,基底温度,沉积速率及退火处理影响薄膜的结晶,离子能量为1keV时,薄膜结晶性最好,在离子能量固定为1keV时,基底温度或沉积速率降低都能提高薄膜的结晶度;空气中退火有助于薄膜的进一步生长.

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离子束辅助沉积氧化镁薄膜

吕晓军1,郑德修1,喻志农1

(1.西安交通大学,)

摘要:为了获得等离子体显示器的介质保护膜,利用离子束辅助沉积技术制备了致密的MgO薄膜;通过X射线衍射仪、扫描电镜、光电子能谱分析了MgO薄膜的特性及特性和工艺参数之间的关系.结果表明:薄膜主要显示(200)晶面的择优取向;从断面形貌、密度及折射率来看,离子束辅助沉积制备的MgO薄膜比电子束蒸发制备的MgO薄膜更致密,薄膜和基底间的结合力更强:离子能量,基底温度,沉积速率及退火处理影响薄膜的结晶,离子能量为1keV时,薄膜结晶性最好,在离子能量固定为1keV时,基底温度或沉积速率降低都能提高薄膜的结晶度;空气中退火有助于薄膜的进一步生长.

关键词:MgO薄膜; 离子束辅助沉积; 结晶; 薄膜特性;

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