衬底与缓冲层的晶格失配对CeO₂缓冲层外延生长的影响

王辉^1,2，曹丽云¹，王耀²，金利华²，吕建凤³，李成山²，黄剑锋¹

1. 陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室2. 西北有色金属研究院3. 重庆师范大学

摘 要：采用金属有机沉积（MOD）技术在La Al O3（LAO）、Y稳定的氧化锆（YSZ）和Ni-W衬底上沉积了Ce O2缓冲层薄膜,并研究了衬底与缓冲层的晶格失配对其外延生长的影响。结果表明,随着衬底和缓冲层薄膜之间晶格失配的增大,缓冲层薄膜内部的压应变增加,晶界浓度增加,晶粒生长速率减小。衬底和缓冲层薄膜之间的晶格失配越小,越有利于薄膜织构度的增大。Ce O2薄膜的表面形貌及粗糙度的演化对衬底和缓冲层薄膜之间的晶格失配并没有明确的依赖关系。

关键词：涂层导体;缓冲层;晶格失配;