SrCaBi4Ti5O18-BiMeO+3（Me=Ga,Mn）高温无铅压电陶瓷的制备及性能
来源期刊：材料科学与工程学报2018年第1期
论文作者：李程 胡杰文 王元立 李宁 郝继功
文章页码：99 - 218
关键词：高温压电陶瓷;铋层状;微观结构;热稳定性;
摘 要：采用固相合成法制备了（1-x）SrCaBi4Ti5O18-xBiMeO3（SCBT-xBMe,Me=Ga,Mn;0≤x≤0.02）铋层状压电陶瓷,研究了BiMeO3掺杂对SrCaBi4Ti5O18系陶瓷微观结构及电性能的影响。结果表明BiMeO3掺杂并未改变SCBT陶瓷的晶体结构,所有样品均为单一的铋层状结构陶瓷;适量引入BiMeO3能促使SCBT的晶粒长大且趋于均匀,并有助于SCBT电性能的优化。当BiMeO3掺杂量为0.005（Me=Ga）和0.02（Me=Mn）时,材料的压电常数d33分别为18pC/N和20pC/N,同时材料具有高的居里温度（Tc=550℃）和低的介电损耗（tanδ<0.15%）。此外,SCBTxBMe材料具有良好的压电稳定性,适合于制备高温高频压电器件。
李程，胡杰文，王元立，李宁，郝继功
聊城大学材料科学与工程学院
摘 要：采用固相合成法制备了（1-x）SrCaBi4Ti5O18-xBiMeO3（SCBT-xBMe,Me=Ga,Mn;0≤x≤0.02）铋层状压电陶瓷,研究了BiMeO3掺杂对SrCaBi4Ti5O18系陶瓷微观结构及电性能的影响。结果表明BiMeO3掺杂并未改变SCBT陶瓷的晶体结构,所有样品均为单一的铋层状结构陶瓷;适量引入BiMeO3能促使SCBT的晶粒长大且趋于均匀,并有助于SCBT电性能的优化。当BiMeO3掺杂量为0.005（Me=Ga）和0.02（Me=Mn）时,材料的压电常数d33分别为18pC/N和20pC/N,同时材料具有高的居里温度（Tc=550℃）和低的介电损耗（tanδ<0.15%）。此外,SCBTxBMe材料具有良好的压电稳定性,适合于制备高温高频压电器件。
关键词：高温压电陶瓷;铋层状;微观结构;热稳定性;
