生长温度对Si1-xGex:C合金薄膜性质的影响
来源期刊：稀有金属2007年增刊第1期
论文作者：谢自力 夏冬梅 韩平 王荣华 张荣 王琦
关键词：化学气相淀积; Si1-xCex:C合金薄膜; 生长温度;
摘 要：用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上制备Si缓冲层,继而外延生长Ge组分渐变的si1-xGex:C合金薄膜.研究表明,较低的Si缓冲层或Si1-xGex:C外延层生长温度均不利于获得理想的Si1-x,Gex:C合金薄膜,仅在Si缓冲层和sil一,Ge,:c外延层的生长温度均为750℃时可以获得质量较高、组分均匀的Si1-xGex:C合金薄膜.本文通过对材料结构及表面形貌的分析研究了缓冲层和外延层的生长温度对Si1-xGex:C合金薄膜性质的影响.
谢自力1，夏冬梅1，韩平1，王荣华1，张荣1，王琦1
(1.南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏,南京210093)
摘要:用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上制备Si缓冲层,继而外延生长Ge组分渐变的si1-xGex:C合金薄膜.研究表明,较低的Si缓冲层或Si1-xGex:C外延层生长温度均不利于获得理想的Si1-x,Gex:C合金薄膜,仅在Si缓冲层和sil一,Ge,:c外延层的生长温度均为750℃时可以获得质量较高、组分均匀的Si1-xGex:C合金薄膜.本文通过对材料结构及表面形貌的分析研究了缓冲层和外延层的生长温度对Si1-xGex:C合金薄膜性质的影响.
关键词:化学气相淀积; Si1-xCex:C合金薄膜; 生长温度;
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