硼掺杂对非晶硅薄膜微结构和光电性能的影响

来源期刊：材料科学与工程学报2001年第1期

论文作者：韩高荣 张溪文 沈大可

关键词：非晶硅薄膜; 硼掺杂; 等离子增强化学气相沉积;

摘    要：以硅烷(SiH4)和硼烷(B2H6)为气相反应先驱体，采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备出轻掺硼非晶氢硅薄膜。X射线衍射、原子力显微镜和光、暗电导测试表明，一定程度的硼掺杂提高了非晶氢硅薄膜的电导率，降低了非晶氢硅薄膜的光、暗电导比，并促进了非晶氢硅薄膜中硅微晶粒的生长。红外吸收谱研究预示了大量的硼原子与硅、氢原子之间能形成某些形式的复合体，仅有少量硼元素对P型掺杂有贡献。