N-X共掺p型ZnO薄膜的研究进展
来源期刊：材料导报2011年第23期
论文作者：李万俊 孔春阳 秦国平 阮海波 杨天勇 梁薇薇 孟祥丹 赵永红
文章页码：49 - 54
关键词：p型ZnO薄膜;N-X共掺;稳定性;
摘 要：获得高质量稳定的p型ZnO薄膜是实现ZnO基光电器件化的关键。目前,国际上公认Ⅴ族元素中的N替代O位（NO）是实现p型ZnO较理想的掺杂途径。但p-ZnO∶N薄膜的导电性能会随着时间、光照、温度条件发生变化,稳定性不足。大量的理论和实验研究表明N基二元共掺（N-X）可以提高N在ZnO薄膜中的固溶度,浅化N的受主能级,且在很大程度上能够改善p型ZnO的导电性能,有利于获得稳定的p型ZnO薄膜。为此,从N基施主受主共掺、双受主共掺以及其它共掺方面综述了N-X共掺p型ZnO薄膜的研究现状。
李万俊1，孔春阳1，秦国平1,2，阮海波1,2，杨天勇1，梁薇薇1，孟祥丹1，赵永红1
1. 重庆师范大学光学工程实验室2. 重庆大学物理学院
摘 要：获得高质量稳定的p型ZnO薄膜是实现ZnO基光电器件化的关键。目前,国际上公认Ⅴ族元素中的N替代O位（NO）是实现p型ZnO较理想的掺杂途径。但p-ZnO∶N薄膜的导电性能会随着时间、光照、温度条件发生变化,稳定性不足。大量的理论和实验研究表明N基二元共掺（N-X）可以提高N在ZnO薄膜中的固溶度,浅化N的受主能级,且在很大程度上能够改善p型ZnO的导电性能,有利于获得稳定的p型ZnO薄膜。为此,从N基施主受主共掺、双受主共掺以及其它共掺方面综述了N-X共掺p型ZnO薄膜的研究现状。
关键词：p型ZnO薄膜;N-X共掺;稳定性;
