Sb掺杂对ZnO-V2O5多元系压敏电阻的影响
来源期刊：材料科学与工程学报2006年第6期
论文作者：田长生 刘向春 王卫民 赵鸣
关键词：Sb; 掺杂; ZnO; 压敏电阻;
摘 要：本文研究了V/Sb预合成粉、SbVO4和Sb2O3等三种不同形式的Sb掺杂对ZnO-V2O5基压敏陶瓷结构和性能的影响.化学计量比不变情况下,上述Sb掺杂方式的改变,使烧结过程中Sb3+离子在陶瓷样品中的浓度上升,促进Zn7Sb2O12型尖晶石相形成,材料晶粒随之细化.同时材料的压敏电压出现大幅上升,而非线性系数和漏电流密度受Sb掺杂形式的变化影响不大.Sb以V/Sb预合成粉进行掺杂可以获得较大尺寸的晶粒,有利于材料在低压方面的应用.
田长生1，刘向春1，王卫民1，赵鸣1
(1.西北工业大学材料科学与工程学院,陕西,西安,710072;
2.内蒙古科技大学材料与冶金科学与工程学院,内蒙古,包头,014010)
摘要:本文研究了V/Sb预合成粉、SbVO4和Sb2O3等三种不同形式的Sb掺杂对ZnO-V2O5基压敏陶瓷结构和性能的影响.化学计量比不变情况下,上述Sb掺杂方式的改变,使烧结过程中Sb3+离子在陶瓷样品中的浓度上升,促进Zn7Sb2O12型尖晶石相形成,材料晶粒随之细化.同时材料的压敏电压出现大幅上升,而非线性系数和漏电流密度受Sb掺杂形式的变化影响不大.Sb以V/Sb预合成粉进行掺杂可以获得较大尺寸的晶粒,有利于材料在低压方面的应用.
关键词:Sb; 掺杂; ZnO; 压敏电阻;
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