低氟MOD法制备Zr掺杂YBCO薄膜的研究
来源期刊：无机材料学报2009年第6期
论文作者：周美玲 索红莉 吴紫平 汤潇 刘敏 叶帅
关键词：α-甲基丙烯酸铜; 低氟MOD; YBCO薄膜; 掺杂; copper α-methacrylic; flourine-reduced MOD; YBCO film; dopant;
摘 要：在金属有机盐沉积(MOD)法制备YBCO薄膜的工艺中, 采用无F的α甲基丙烯酸铜取代原来的三氟乙酸铜, 可以降低前驱溶液中大约50%的氟含量. 研究表明, 该方法大大缩短了YBCO前驱薄膜受热分解的时间, 仅为原来的1/7. 通过XRD、SEM分析发现, 该方法可以制备成分单一、具有良好立方织构的YBCO薄膜, 且薄膜表面平整致密, 没有裂纹, 临界温度(T_c)达到了90K左右, 77K、自场下的临街电流密度(J_c)达到了2.84MA/cm~2. 通过在制备的YBCO薄膜中引入6mol% 的 Zr元素掺杂, 有效地提高了YBCO薄膜在外加磁场下的超导性能.
周美玲1，索红莉1，吴紫平1，汤潇1，刘敏1，叶帅1
(1.北京工业大学,材料科学与工程学院,国家教育部功能材料重点实验室,北京100124)
摘要:在金属有机盐沉积(MOD)法制备YBCO薄膜的工艺中, 采用无F的α甲基丙烯酸铜取代原来的三氟乙酸铜, 可以降低前驱溶液中大约50%的氟含量. 研究表明, 该方法大大缩短了YBCO前驱薄膜受热分解的时间, 仅为原来的1/7. 通过XRD、SEM分析发现, 该方法可以制备成分单一、具有良好立方织构的YBCO薄膜, 且薄膜表面平整致密, 没有裂纹, 临界温度(T_c)达到了90K左右, 77K、自场下的临街电流密度(J_c)达到了2.84MA/cm~2. 通过在制备的YBCO薄膜中引入6mol% 的 Zr元素掺杂, 有效地提高了YBCO薄膜在外加磁场下的超导性能.
关键词:α-甲基丙烯酸铜; 低氟MOD; YBCO薄膜; 掺杂; copper α-methacrylic; flourine-reduced MOD; YBCO film; dopant;
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