简介概要

磁导体电子学信息功能材料

来源期刊:材料导报2001年第1期

论文作者:赖武彦

关键词:磁导体电子学; 纳米薄膜; 巨磁电阻; 隧道磁电阻; 磁随机存储器;

摘    要:纳米尺度超薄膜的制备和结构表征,催生了一门新学科--磁导体电子学.制备方法的改进促进了磁导体电子学器件的产业化.它在计算机信息功能上有重要应用.计算机信息量的运算和存取是信息功能的两个侧面,必须平衡发展.巨磁电阻(GMR)硬盘的存储密度已达11Gbits/in2,这个突破性进展缓解了失衡.非易失性磁随机存储器(MRAM)是磁导体电子学器件又一新成果.利用现有微电子技术,可以尽快实现其产业化.

详情信息展示

磁导体电子学信息功能材料

赖武彦1

(1.中科院物理研究所)

摘要:纳米尺度超薄膜的制备和结构表征,催生了一门新学科--磁导体电子学.制备方法的改进促进了磁导体电子学器件的产业化.它在计算机信息功能上有重要应用.计算机信息量的运算和存取是信息功能的两个侧面,必须平衡发展.巨磁电阻(GMR)硬盘的存储密度已达11Gbits/in2,这个突破性进展缓解了失衡.非易失性磁随机存储器(MRAM)是磁导体电子学器件又一新成果.利用现有微电子技术,可以尽快实现其产业化.

关键词:磁导体电子学; 纳米薄膜; 巨磁电阻; 隧道磁电阻; 磁随机存储器;

【全文内容正在添加中】

<上一页 1 下一页 >

相关论文

  • 暂无!

相关知识点

  • 暂无!

有色金属在线官网  |   会议  |   在线投稿  |   购买纸书  |   科技图书馆

中南大学出版社 技术支持 版权声明   电话:0731-88830515 88830516   传真:0731-88710482   Email:administrator@cnnmol.com

互联网出版许可证:(署)网出证(京)字第342号   京ICP备17050991号-6      京公网安备11010802042557号