纳米晶化对CoNbZr薄膜结构及阻抗的影响
来源期刊：功能材料2004年第1期
论文作者：文歧业 张万里 蒋向东 张怀武 唐晓莉
关键词：薄膜; 软磁膜; 纳米晶化;
摘 要：采用独特的快速循环纳米晶化技术,对直流磁控溅射制备的非晶CoNbZr软磁膜,进行纳米晶化.研究了在不同的纳米晶化工艺条件下,薄膜的微观结构和阻抗性能.CoNbZr软磁薄膜晶粒细化到30nm,阻抗值从20Ω增加到100Ω(1400MHz),阻抗共振峰向低频移动200MHz左右,极大改善了薄膜的软磁性能.
文歧业1，张万里1，蒋向东1，张怀武1，唐晓莉1
(1.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054)
摘要:采用独特的快速循环纳米晶化技术,对直流磁控溅射制备的非晶CoNbZr软磁膜,进行纳米晶化.研究了在不同的纳米晶化工艺条件下,薄膜的微观结构和阻抗性能.CoNbZr软磁薄膜晶粒细化到30nm,阻抗值从20Ω增加到100Ω(1400MHz),阻抗共振峰向低频移动200MHz左右,极大改善了薄膜的软磁性能.
关键词:薄膜; 软磁膜; 纳米晶化;
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