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Sn量子点的研究进展

来源期刊:材料导报2010年第S1期

论文作者:赵希磊 王科范 张伟风 顾玉宗

文章页码:74 - 160

关键词:Sn量子点;生长技术;光学性质;电学性质;理论计算;

摘    要:Sn量子点可用于制作单电子器件、高密度存储单元、红外探测器以及发射器等,具有重要的研究意义。介绍了离子注入、分子束外延、磁控溅射和固相外延等各种制备Sn量子点的生长技术,综述了Sn量子点的光学性质、电学性质以及理论计算研究结果,指出了Sn量子点研究面临的关键问题以及研究方向。

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Sn量子点的研究进展

赵希磊,王科范,张伟风,顾玉宗

河南大学微系统物理研究所和光伏材料省重点实验室

摘 要:Sn量子点可用于制作单电子器件、高密度存储单元、红外探测器以及发射器等,具有重要的研究意义。介绍了离子注入、分子束外延、磁控溅射和固相外延等各种制备Sn量子点的生长技术,综述了Sn量子点的光学性质、电学性质以及理论计算研究结果,指出了Sn量子点研究面临的关键问题以及研究方向。

关键词:Sn量子点;生长技术;光学性质;电学性质;理论计算;

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