射频溅射沉积不同厚度Ca膜退火直接形成Ca2Si膜（英文）
来源期刊：材料科学与工程学报2009年第5期
论文作者：杨吟野 谢泉
文章页码：675 - 678
关键词：Ca2Si;晶核形成;半导体硅化物;退火;磁控溅射;
摘 要：使用射频磁控溅射系统在恒定溅射功率、Ar气压和Ar气流流量下,在Si（100）衬底上,分别沉积不同厚度的Ca膜。随后,800℃真空退火45分钟、1小时和1.5小时。半导体钙硅化物,即立方相的Ca2Si膜和简单正交相的Ca2Si膜首次、单独、直接生长在Si（100）衬底上。实验结果指明在多相共生的Ca-Si化合物中,Ca膜的沉积厚度、因溅射而生长的Ca-Si化合物的生长厚度决定了某一个单相的钙硅化物独立的生长。另外,退火温度为800℃时,有利于单相钙硅化物的独立生长。并且,退火时间也是关键因素。
杨吟野1,2，谢泉1
1. 贵州大学电子科学与信息技术学院2. 贵州民族学院物理系
摘 要：使用射频磁控溅射系统在恒定溅射功率、Ar气压和Ar气流流量下,在Si（100）衬底上,分别沉积不同厚度的Ca膜。随后,800℃真空退火45分钟、1小时和1.5小时。半导体钙硅化物,即立方相的Ca2Si膜和简单正交相的Ca2Si膜首次、单独、直接生长在Si（100）衬底上。实验结果指明在多相共生的Ca-Si化合物中,Ca膜的沉积厚度、因溅射而生长的Ca-Si化合物的生长厚度决定了某一个单相的钙硅化物独立的生长。另外,退火温度为800℃时,有利于单相钙硅化物的独立生长。并且,退火时间也是关键因素。
关键词：Ca2Si;晶核形成;半导体硅化物;退火;磁控溅射;
