正反欧姆区间伏安特性对TiN薄膜微观结构及性能的影响

来源期刊：稀有金属材料与工程2016年第9期

论文作者：郝娟 蒋百灵 杨超 冯林 张彤晖

文章页码：2439 - 2443

关键词：反欧姆区;靶电流密度;Ti N薄膜;离化率;

摘    要：采用脉冲控制模式将气体放电伏安特性由磁控溅射离子镀的"正欧姆"区间引入到"反欧姆"区间,并在不同靶电流密度下制备了TiN薄膜。研究了正反欧姆区间伏安特性对薄膜微观结构及性能的影响。结果表明:在靶电流密度(I_td)大于0.2 A·cm^-2的反欧姆区间,薄膜具有良好的表面质量和致密程度;且薄膜的硬度和膜/基结合强度分别由正欧姆区间I_td为0.11A·cm^-2的9.9 GPa、4.5 N提升到反欧姆区间I_-td为0.38 A·cm^-2的25.8 GPa、18 N。