氢化及沉积温度对掺铝ZnO透明导电薄膜性能影响

来源期刊：复合材料学报2012年第5期

论文作者：周洪彪 张化宇 王志刚

文章页码：83 - 87

关键词：AZO薄膜;射频磁控溅射;氢化;衬底温度;电阻率;

摘    要：采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了掺铝ZnO透明导电薄膜（AZO）。为了降低AZO薄膜的电阻率,采用在溅射气氛中通入一定比例H2的方法对AZO薄膜进行氢化处理,并研究了溅射气氛中H2含量及衬底温度对AZO薄膜氢化效果的影响。结果表明:在低温条件下,氢化处理能有效降低AZO薄膜的电阻率;在衬底温度为100℃的低温条件下,通过调节溅射气氛中H2的比例,制备了电阻率为6.0×10-4Ω.cm的高质量氢化AZO薄膜,该电阻值低于同等条件下未氢化AZO薄膜电阻值的1/3;但随着衬底温度的升高,氢化处理对薄膜电学性能的改善效果逐渐减弱。