Ge/GaAs中APD及薄膜性能研究
来源期刊：功能材料与器件学报2000年第3期
论文作者：杨茹 阎凤章 仁永玲 朱红清 李国辉
关键词：Ge/GaAs; 吸收倍增分离; 雪崩光电二极管(APD);
摘 要：研究了一种光纤通讯用光电探测器.在GaAs上蒸镀800nm的Ge,并在此材料基础上提出了一种吸收倍增分离的雪崩二极管(SAM-APD)的结构设计,采用GaAs作为倍增区,Ge作为吸收区.在此结构上初步制作的二极管正向开启电压为0.2～0.3V,反向击穿电压为2.5V,漏电不明显,p-n结特性良好.
杨茹1，阎凤章1，仁永玲1，朱红清1，李国辉1
(1.北京师范大学低能核物理所,北京市辐射中心,北京100875)
摘要:研究了一种光纤通讯用光电探测器.在GaAs上蒸镀800nm的Ge,并在此材料基础上提出了一种吸收倍增分离的雪崩二极管(SAM-APD)的结构设计,采用GaAs作为倍增区,Ge作为吸收区.在此结构上初步制作的二极管正向开启电压为0.2～0.3V,反向击穿电压为2.5V,漏电不明显,p-n结特性良好.
关键词:Ge/GaAs; 吸收倍增分离; 雪崩光电二极管(APD);
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