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聚硅氧烷HPSO-VPSO体系的交联和裂解

来源期刊:粉末冶金材料科学与工程2013年第3期

论文作者:李树杰 张岚 陈孝飞 刘文慧 席文君

文章页码:315 - 319

关键词:陶瓷先驱体;聚硅氧烷;交联;裂解;

摘    要:陶瓷及陶瓷基复合材料的连接技术具有重要的工程意义。鉴于采用以含氢聚硅氧烷(HPSO)和含乙烯基聚硅氧烷(VPSO)的混合物(用HPSO-VPSO表示)为主要成分的连接剂能够有效地连接SiC陶瓷,采用热重法(TG)、差热扫描量热法(DSC)、红外光谱(IR)以及X射线衍射(XRD)研究HPSO-VPSO体系的交联和裂解过程。试验结果表明,氯铂酸催化剂能促进HPSO-VPSO体系的交联,从而提高体系的陶瓷产率。HPSO-VPSO从室温到1 200℃的质量耗损约为45%,主要的质量耗损过程发生在370825℃之间。在1 300℃及以下裂解产物为非晶态物质,在1 3001 400℃范围内裂解产物发生结晶,形成SiC和SiO2晶体。

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聚硅氧烷HPSO-VPSO体系的交联和裂解

李树杰,张岚,陈孝飞,刘文慧,席文君

北京航空航天大学材料科学与工程学院

摘 要:陶瓷及陶瓷基复合材料的连接技术具有重要的工程意义。鉴于采用以含氢聚硅氧烷(HPSO)和含乙烯基聚硅氧烷(VPSO)的混合物(用HPSO-VPSO表示)为主要成分的连接剂能够有效地连接SiC陶瓷,采用热重法(TG)、差热扫描量热法(DSC)、红外光谱(IR)以及X射线衍射(XRD)研究HPSO-VPSO体系的交联和裂解过程。试验结果表明,氯铂酸催化剂能促进HPSO-VPSO体系的交联,从而提高体系的陶瓷产率。HPSO-VPSO从室温到1 200℃的质量耗损约为45%,主要的质量耗损过程发生在370825℃之间。在1 300℃及以下裂解产物为非晶态物质,在1 3001 400℃范围内裂解产物发生结晶,形成SiC和SiO2晶体。

关键词:陶瓷先驱体;聚硅氧烷;交联;裂解;

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