In:Ga2O3氧化物半导体晶体的生长与性能研究
来源期刊：无机材料学报2017年第6期
论文作者：唐慧丽 吴庆辉 罗平 王庆国 徐军
文章页码：621 - 624
关键词：In:Ga2O3晶体;浮区法;电导率;
摘 要：β-Ga2O3晶体是一种新型宽禁带氧化物半导体材料,本征导电性差。为了在调控导电性能的同时兼顾高的透过率和结晶性能,离子掺杂是一种有效的途径。采用光学浮区法生长出f8 mm×50 mm蓝色透明In:Ga2O3晶体,晶体具有较高的结晶完整性。In3+离子掺杂后,β-Ga2O3晶体在红外波段出现明显的自由载流子吸收,热导率稍有减小。室温下,In:Ga2O3晶体的电导率和载流子浓度分别为4.94×10-4S/cm和1.005×1016 cm-3,其值高于β-Ga2O3晶体约1个数量级。In:Ga2O3晶体电学性能对热处理敏感,1200℃空气气氛和氩气气氛退火后电导率降低。结果表明,In3+离子掺杂能够调控β-Ga2O3晶体的导电性能。
唐慧丽1,2，吴庆辉2,3，罗平1,2，王庆国1,2，徐军1,2
1. 同济大学物理科学与工程学院3. 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘 要：β-Ga2O3晶体是一种新型宽禁带氧化物半导体材料,本征导电性差。为了在调控导电性能的同时兼顾高的透过率和结晶性能,离子掺杂是一种有效的途径。采用光学浮区法生长出f8 mm×50 mm蓝色透明In:Ga2O3晶体,晶体具有较高的结晶完整性。In3+离子掺杂后,β-Ga2O3晶体在红外波段出现明显的自由载流子吸收,热导率稍有减小。室温下,In:Ga2O3晶体的电导率和载流子浓度分别为4.94×10-4S/cm和1.005×1016 cm-3,其值高于β-Ga2O3晶体约1个数量级。In:Ga2O3晶体电学性能对热处理敏感,1200℃空气气氛和氩气气氛退火后电导率降低。结果表明,In3+离子掺杂能够调控β-Ga2O3晶体的导电性能。
关键词：In:Ga2O3晶体;浮区法;电导率;
