碳纤维无催化剂法制备β-SiC纳米晶须
来源期刊：无机材料学报2005年第3期
论文作者：吴艳军 杨忠学 吴建生 张亚非
关键词：SiC纳米晶须; 制备技术; 纳米电子材料;
摘 要：介绍了使用碳纤维为固相碳源,无催化剂加入制备β-SiC纳米晶须的一种新方法.制备了直径为10～40nm,长度为几个微米的纯度较高的β-SiC纳米晶须.讨论了这个制备方法的特点,并比较了几种不同制备方法的优缺点.同时分析了β-SiC纳米晶须的显微组织并探讨了其生长机理.研究表明,较高的生长温度、SiO和CO的局部过饱和蒸汽压是此方法能够大量制备β-SiC纳米晶须的关键因素.
吴艳军1，杨忠学1，吴建生1，张亚非1
(1.上海交通大学"薄膜与微细技术"教育部重点实验室,微纳米科学技术研究院,上海,200030)
摘要:介绍了使用碳纤维为固相碳源,无催化剂加入制备β-SiC纳米晶须的一种新方法.制备了直径为10～40nm,长度为几个微米的纯度较高的β-SiC纳米晶须.讨论了这个制备方法的特点,并比较了几种不同制备方法的优缺点.同时分析了β-SiC纳米晶须的显微组织并探讨了其生长机理.研究表明,较高的生长温度、SiO和CO的局部过饱和蒸汽压是此方法能够大量制备β-SiC纳米晶须的关键因素.
关键词:SiC纳米晶须; 制备技术; 纳米电子材料;
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