荧光分析中的微分道校正法

来源期刊：有色金属工程1980年第4期

论文作者：李丽洁 徐岳

文章页码：46 - 52

摘    要：微分道校正法是对放射性同位素 x 荧光分析中基体效应误差的一种新校正法。它简单而有效,特别适用于简单的流程分析。该校正法的原理是:任何元素的特征 x 线能谱分布规律不随其含量而变,当测量条件一定时,该能谱的各测量道内的计数与其含量各呈固有的线性关系。即当含量变化时,不同道内的计数变化比值是一定的。根据这个原理,对于相邻元素的重叠谱峰,可以事先用已知样品求得干扰元素在待测元素测量道内的计数和在远离待测元素谱的另一窄道(我们称之为微分道)内的计数变化比 K,作为校正系数。根据此校正系数和微分道的计数,算得测定某元素时干扰元素在测量道内的干扰计数,使测量值得到校正。文中除对原理的阐述外,还通过实验,以图表等形式,示范了校正系数的求法及对人工配制样品和实际矿样的校正效果。以化学分析值为准,测铜与铁混合样中的铜。对94个样品的实测结果,校正前后分析误差的对比是:品位绝对误差≤0.2%的矿样,由原占总数的45.8%上升为71.3%,误差>0.5%的矿样,由原来占17%下降为8.5%,基本可满足生产过程控制的要求。文中还介绍了此法在流程分析仪电路方案上的应用。