亚胺化工艺对聚酰亚胺/纳米Al₂O₃三层复合薄膜耐电晕性能的影响

来源期刊：功能材料2017年第6期

论文作者：贺洪菊 刘立柱 翁凌

文章页码：6154 - 12321

关键词：聚酰亚胺;亚胺化工艺;PSD;电老化阀值;耐电晕;

摘    要：以均苯四甲酸二酐和4,4’-二氨基二苯醚作为原材料,N,N-二甲基乙酰胺作为溶剂,采用原位聚合法通过不同的亚胺化工艺分别制备了3组掺杂量为12%（质量分数）的PI/纳米Al₂O₃三层复合薄膜。采用红外光谱（FT-IR）对复合薄膜的第1层进行了表征,并计算了不同工艺下第1层复合薄膜的亚胺化率。采用扫描电子显微镜（SEM）对三层复合薄膜的断面结构进行了表征。同时,利用光激放电（photon-stimulated discharge,PSD）测试了复合薄膜的陷阱状态,并对纯膜及复合薄膜的电老化阀值和耐电晕时间进行了测试。结果表明,随着亚胺化温度与时间的增加,第1层复合薄膜的亚胺化程度随之增加,即亚胺化率增大;随着亚胺化率的增加,复合薄膜的层间结合程度逐渐变好,复合薄膜内部陷阱密度降低,电老化阀值增加,耐电晕时间增加。