聚乙烯亚胺在 SiC粉体上的定量吸附研究
来源期刊：无机材料学报2000年第2期
论文作者：高濂 孙静 郭景坤 孙伟燕
关键词：聚乙烯亚胺; 定量吸附; 紫外光谱; SiC粉体; polyethylene imine (PEI); quantitative adsorption; UV spectrum silicon carbid;
摘 要：利用紫外－可见光谱研究了分散剂聚乙烯亚胺在粉体SiC上的定量吸附情况. 加入酸性PEI后粉体SiC表面的电性发生改变，等电点由pH=2.0移至pH=10.5. 分散剂在粉体上的吸附满足Langmuir单层吸附方程. 对分散剂PEI--H+(pH=3.57)来说，单层吸附值为0.0172mg/mL. 对分散剂PEI--H+(pH=6.61)来说，单层吸附值为0.0208mg/mL. 利用富利叶红外光谱证实了这种吸附作用.
高濂1，孙静1，郭景坤1，孙伟燕1
(1.中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室，上海 200050)
摘要:利用紫外－可见光谱研究了分散剂聚乙烯亚胺在粉体SiC上的定量吸附情况. 加入酸性PEI后粉体SiC表面的电性发生改变，等电点由pH=2.0移至pH=10.5. 分散剂在粉体上的吸附满足Langmuir单层吸附方程. 对分散剂PEI--H+(pH=3.57)来说，单层吸附值为0.0172mg/mL. 对分散剂PEI--H+(pH=6.61)来说，单层吸附值为0.0208mg/mL. 利用富利叶红外光谱证实了这种吸附作用.
关键词:聚乙烯亚胺; 定量吸附; 紫外光谱; SiC粉体; polyethylene imine (PEI); quantitative adsorption; UV spectrum silicon carbid;
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