氧流量对铟锡氧化物薄膜光电性能的影响
来源期刊：稀有金属材料与工程2006年第1期
论文作者：陈建国 乔学亮 李世涛
关键词：磁控溅射; 铟锡氧化物; 透明导电薄膜; 氧流量;
摘 要：采用射频磁控溅射法,在不同氧流量(0～10sccm)的条件下沉积了铟锡氧化物(In2O3-SnO2)透明导电薄膜.紫外分光光度计测试薄膜的透射率,四点探针测试薄膜的方阻,椭偏仪测试薄膜的复折射率和薄膜厚度,XPS测试ITO薄膜的成分和电子结构.结果表明:薄膜的沉积速率和折射率与氧流量有关,薄膜厚度为60nm,氧流量在9 sccm时,透射率超过80%(波长λ=400 nm～700 nm,包括玻璃基体),退火后透射率、方阻明显改善.XPS分析表明,薄膜中的亚氧化物的存在降低了薄膜的光电性能,控制氧流量可减少亚氧化物.
陈建国1，乔学亮1，李世涛1
(1.华中科技大学,模具技术国家重点实验室,湖北,武汉,430074)
摘要:采用射频磁控溅射法,在不同氧流量(0～10sccm)的条件下沉积了铟锡氧化物(In2O3-SnO2)透明导电薄膜.紫外分光光度计测试薄膜的透射率,四点探针测试薄膜的方阻,椭偏仪测试薄膜的复折射率和薄膜厚度,XPS测试ITO薄膜的成分和电子结构.结果表明:薄膜的沉积速率和折射率与氧流量有关,薄膜厚度为60nm,氧流量在9 sccm时,透射率超过80%(波长λ=400 nm～700 nm,包括玻璃基体),退火后透射率、方阻明显改善.XPS分析表明,薄膜中的亚氧化物的存在降低了薄膜的光电性能,控制氧流量可减少亚氧化物.
关键词:磁控溅射; 铟锡氧化物; 透明导电薄膜; 氧流量;
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