衬底温度对直流磁控溅射沉积AlN薄膜组织结构的影响
来源期刊：矿冶工程2007年第3期
论文作者：李绍禄 门海泉 李德意 周灵平 刘新胜
关键词：AlN薄膜; 衬底温度; 择优取向; 表面形貌; 反应磁控溅射;
摘 要：采用直流反应磁控溅射法在不同衬底温度(20～490 ℃)下沉积了AlN薄膜,用XRD分析了薄膜的择优取向,用高分辨场发射扫描电镜来表征了薄膜的表面型貌.实验结果表明,当衬底处在20 ℃冷却的样品台沉积AlN时其上没有晶态的薄膜生成;衬底处于等离子体自加热时,薄膜具有混合的取向;随着温度的升高,薄膜的(002)晶面择优取向度逐渐增大,薄膜的结晶度越来越高,同时更加致密化.当温度到达 400 ℃时,(002)晶面取向度达到最大.温度达到490 ℃时,薄膜再度出现了明显的(100),(101)晶面的衍射峰.
李绍禄1，门海泉1，李德意1，周灵平1，刘新胜1
(1.湖南大学,材料科学与工程学院,湖南,长沙,410082)
摘要:采用直流反应磁控溅射法在不同衬底温度(20～490 ℃)下沉积了AlN薄膜,用XRD分析了薄膜的择优取向,用高分辨场发射扫描电镜来表征了薄膜的表面型貌.实验结果表明,当衬底处在20 ℃冷却的样品台沉积AlN时其上没有晶态的薄膜生成;衬底处于等离子体自加热时,薄膜具有混合的取向;随着温度的升高,薄膜的(002)晶面择优取向度逐渐增大,薄膜的结晶度越来越高,同时更加致密化.当温度到达 400 ℃时,(002)晶面取向度达到最大.温度达到490 ℃时,薄膜再度出现了明显的(100),(101)晶面的衍射峰.
关键词:AlN薄膜; 衬底温度; 择优取向; 表面形貌; 反应磁控溅射;
【全文内容正在添加中】
