Sm2O3掺杂CeO2纳米晶的制备及其生长动力学
来源期刊：材料科学与工程学报2010年第2期
论文作者：赵新颖 侯书恩 庞松 黄玉娟 许亮
文章页码：203 - 207
关键词：纳米晶;Sm掺杂CeO2;生长动力学;
摘 要：本研究以Ce（NO3）3.6H2O和Sm2O3为主要原料,采用共沉淀-喷雾干燥法制备出Sm2O3掺杂CeO2（SDC）的纳米粉末。通过对制得粉体进行DSC-TG、XRD、SEM等表征,研究了SDC纳米晶在煅烧过程中的晶体生长动力学。结果表明:400℃以下,煅烧时间对SDC晶粒尺寸的影响很小,随着温度的升高,其影响逐渐增大,800℃时,煅烧时间对晶粒尺寸的影响很大;但随着煅烧温度的提高,其影响又逐渐减小,在1000℃时,晶粒粒径随着煅烧时间的延长,不再发生变化。根据晶体生长动力学方程,SDC的晶体生长机制在不同温度条件下存在一定差异,在低温下（300-400℃）,界面反应占主导;中温下（500℃左右）,纳米效应、界面反应与扩散传质的共同作用;高温下（600-800℃）,体现为扩散传质。
赵新颖1，侯书恩1，庞松2，黄玉娟1，许亮1
1. 中国地质大学(武汉)材料科学与化学工程学院2. 上海交通大学材料学院
摘 要：本研究以Ce（NO3）3.6H2O和Sm2O3为主要原料,采用共沉淀-喷雾干燥法制备出Sm2O3掺杂CeO2（SDC）的纳米粉末。通过对制得粉体进行DSC-TG、XRD、SEM等表征,研究了SDC纳米晶在煅烧过程中的晶体生长动力学。结果表明:400℃以下,煅烧时间对SDC晶粒尺寸的影响很小,随着温度的升高,其影响逐渐增大,800℃时,煅烧时间对晶粒尺寸的影响很大;但随着煅烧温度的提高,其影响又逐渐减小,在1000℃时,晶粒粒径随着煅烧时间的延长,不再发生变化。根据晶体生长动力学方程,SDC的晶体生长机制在不同温度条件下存在一定差异,在低温下（300-400℃）,界面反应占主导;中温下（500℃左右）,纳米效应、界面反应与扩散传质的共同作用;高温下（600-800℃）,体现为扩散传质。
关键词：纳米晶;Sm掺杂CeO2;生长动力学;
