摘 要:采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法,通过改变CH4浓度,在单晶Si(100)基底上制备掺氮纳米金刚石(NCD)薄膜,并以所制备的掺氮NCD薄膜为阴极材料,通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)、原子力扫描探针显微镜(AFM)、Raman光谱和S波段射频电子枪等测试方法系统地研究了掺氮NCD薄膜的微观结构对微波场发射性能的影响。结果表明:在CH4浓度(体积比)为4%下,制备的掺氮NCD薄膜的颗粒呈多面体,而且颗粒尺寸和表面粗糙度较大,薄膜中金刚石相含量较高,这些微观结构使得微波场发射性能较高,在电场强度(E0)为67.7 V·μm-1时,发射电流密度(J0)高达144.8 m A·cm-2。当升高CH4浓度,所制备的掺氮NCD薄膜的颗粒尺寸减小而且连成条状结构,表面粗糙度也逐渐降低,薄膜中金刚石相减少、非金刚石相增加,这些微观结构的改变使得微波场发射性能逐渐降低。如当CH4浓度增加至6%时,在电场强度E0=67.7 V·μm-1时,场发射电流密度降至37.9 m A·cm-2。结果表明:低CH4浓度下,掺氮NCD薄膜所具有的微观结构有利于微波场发射。
采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法,通过改变CH_4浓度,在单晶Si(100)基底上制备掺氮纳米金刚石(NCD)薄膜,并以所制备的掺氮NCD薄膜为阴极材料,通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)、原子力扫描探针显微镜(AFM)、Raman光谱和S波段射频电子枪等测试方法系统地研究了掺氮NCD薄膜的微观结构对微波场发射性能的影响。结果表明:在CH_4浓度(体积比)为4%下,制备的掺氮NCD薄膜的颗粒呈多面体,而且颗粒尺寸和表面粗糙度较大,薄膜中金刚石相含量较高,这些微观结构使得微波场发射性能较高,在电场强度(E_0)为67.7 V·μm~(-1)时,发射电流密度(J0)高达144.8 m A·cm~(-2)。当升高CH_4浓度,所制备的掺氮NCD薄膜的颗粒尺寸减小而且连成条状结构,表面粗糙度也逐渐降低,薄膜中金刚石相减少、非金刚石相增加,这些微观结构的改变使得微波场发射性能逐渐降低。如当CH_4浓度增加至6%时,在电场强度E_0=67.7 V·μm~(-1)时,场发射电流密度降至37.9 m A·cm~(-2)。结果表明:低CH_4浓度下,掺氮NCD薄膜所具有的微观结构有利于微波场发射。
Microwave Field Emission Performances of Nitrogen-Doped NCD Thin Films Affected by Microstructure
Xu Li Xiong Ying Wang Bing Han Wenhong Liu Xinglong Fang Liping
State Key Laboratory Cultivation Base for Nonmetal Composites and Functional Materials,Southwest University of Science and Technology
Abstract:
Nitrogen-doped nanocrystalline diamond( NCD) thin films were deposited on single crystal Si( 100) substrates by microwave plasma chemical vapor deposition( MPCVD) with different CH_4 concentrations. With nitrogen-doped NCD films as cathode materials,the effect of the microstructure of NCD thin films on microwave field emission was systematically studied by field emission scanning electron microscopy( FESEM),atomic force scanning probe microscope( AFM),Raman spectrum and the S-band radio frequency gun. The results showed that under 4% CH_4concentration( volume ratio),the nitrogen-doped NCD particle shapes were polyhedron,the grain size and the surface roughness were larger,and the diamond phase content in the diamond film was higher than those of other samples. The above microstructure had excellent field emission properties,for example,the emission current density J0= 144. 8 m A·cm~(-2)at 67. 7 V·μm~(-1)electric field. With the increase of CH_4 concentration,the grain size and surface roughness of NCD thin films would gradually decrease and the microstructure changed from polyhedron to strip structure. The film's diamond phase decreased and its non-diamond phase increased. The microwave field emission properties decayed with the microstructure change. Under 6% CH_4 concentration,the emission current density( J0) decreased to 37. 9 m A·cm~(-2)at 67. 7 V·μm~(-1)electric field. The results showed that the microstructure of nitrogen-doped NCD film was advantageous to the field emission properties under low CH_4 concentration.
掺氮NCD薄膜的沉积采用自行研制的10 k W微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)系统。具体工艺参数如下:沉积微波功率为6 k W,腔体工作气压为14.3 k Pa,反应气源为Ar,CH4和CO2,气体总流量为500 ml·min-1,其中CH4的流量为4%~6%(体积分数),CO2的流量为6 ml·min-1(用作载气将三聚氰胺的甲醇饱和溶液载入到腔体中作为液态掺氮源)。利用红外测温仪测得掺氮NCD薄膜的生长温度为860℃,所有掺氮NCD薄膜的沉积时间均为4 h。
在中国工程物理研究院的S波段射频电子枪测试平台上,以不同微观结构的掺氮NCD薄膜为阴极,测试NCD薄膜的场发射性能。图4(a)给出了掺氮NCD薄膜阴极的发射电流密度值(J)和微波场电场强度(E)之间的关系曲线。可以看出,CH4浓度较低的掺氮NCD薄膜(4%)的发射电流密度随着微波场电场强度的增加而快速的增加,如当电场强度从49.6 V·μm-1增加到67.7 V·μm-1时,发射电流密度从19.3 m A·cm-2迅速增加至144.8m A·cm-2。而其他两个较高CH4浓度的掺氮NCD薄膜(5%和6%)的发射电流密度的变化趋势基本相似,即随着微波场电场强度的增加而缓慢增加,如当电场强度增加至67.7 V·μm-1时,发射电流密度也分别仅为43.6和37.9 m A·cm-2。以上结果表明:掺氮NCD薄膜的表面形貌对S波段微波场发射性能有着重要的影响,即降低CH4浓度使得薄膜中的金刚石颗粒尺寸增大,表面粗糙的增大,晶界处的石墨相含量减少,这些形貌的改变有利于提高所制备的掺氮NCD薄膜的S波段微波场场发射性能。最近,Baryshev等
[7] 报道在1.3 GHz射频电子枪测试平台上,测试的掺氮超纳米晶金刚石薄膜的发射电流密度约为25 m A·cm-2(电场强度为65V·μm-1)。而本文中所有的掺氮NCD薄膜在电场强度为65 V·μm-1时的发射电流密度均比文献中报道的值大,说明本实验所制备的金刚石薄膜阴极样品具有更优异的场发射性能,分析其原因主要是由于离子注入法的掺杂方式限制了掺杂源的浓度
[17] 。而本文通过等离子体方式,在高浓度氮源下生长的掺氮NCD/UNCD薄膜能够将氮进入晶界处,这种导通的晶界层能够促进电子传输、减小薄膜电阻率和增强场发射性能
[18,19] 。
图4 不同CH4浓度下掺氮NCD薄膜的场发射电流密度(J)与电场强度(E)曲线以及F-N拟合曲线Fig.4 Emission current density vs.electrical field curves(a)and fitted F-N plots of nitrogen-doped NCD thin films deposited at different CH4concentrations(b)
表1 不同CH4浓度掺氮NCD薄膜的微波场发射和表面形貌参数Table 1 Parameters of microwave field emission and sur-face morphology of nitrogen-doped NCD thin films deposited at different CH4concentrations 下载原图
表1 不同CH4浓度掺氮NCD薄膜的微波场发射和表面形貌参数Table 1 Parameters of microwave field emission and sur-face morphology of nitrogen-doped NCD thin films deposited at different CH4concentrations
3 结论
研究了CH4浓度对MPCVD方法生长的掺氮NCD薄膜的表面形貌、表面粗糙度和物相等微观结构的改变,进而对微波场发射的影响。即掺氮NCD薄膜的微观结构随着CH4浓度的变化而发生变化,降低CH4浓度导致薄膜中金刚石相含量增加,晶界处的非金刚石相较少;金刚石薄膜的颗粒形状也逐渐由长条状向多面体变化,而且颗粒尺寸和表面粗糙度也跟着增大;结合微波场发射测试结果表明:低CH4浓度下制备的掺氮NCD薄膜具有的微观结构可以获得更高的场发射电流密度。如在整个测试电场范围内,电流密度最高可达144.8 m A·cm-2(电场E=67.7 V·μm-1)。在高、低加速梯度的加速器应用程序中,鉴于金刚石薄膜的场发射性能方面的优点,很有可能作为一种优良、高效和稳定的场发射阴极。