预氧化聚碳硅烷先驱体转化法制备SiC陶瓷介电和吸波性能研究

史毅敏^1,2，罗发¹，丁冬海³，周万城¹，朱冬梅¹

1. 西北工业大学凝固技术国家重点实验室2. 西安建筑科技大学理学院3. 西安建筑科技大学材料与矿资学院

摘 要：通过聚碳硅烷（PCS）预氧化后在800¹ 200℃热解制备了SiC陶瓷,采用傅里叶转化红外光谱（FTIR）与拉曼光谱分别对不同温度交联后PCS及裂解产物进行了表征。并用矩形波导法测试了SiC陶瓷在8.2¹2.4GHz（X波段）频段的复介电常数,利用传输线理论计算了试样的反射率。结果表明,氧化交联过程中PCS通过Si—H键和Si—CH₃键与氧反应形成Si—OH键。SiC陶瓷中自由碳有序度随着热解温度的升高而增加,导致复介电常数实部及虚部增加。170℃交联,1 200℃热解,试样厚度为3.5 mm的SiC陶瓷,吸收峰值为-18dB,X全波段反射率低于-10dB,呈现出较好的吸波性能。

关键词：预氧化;聚碳硅烷;SiC陶瓷;复介电常数;吸波性能;