多巴酚丁胺在聚对氨基吡啶化学修饰电极上的电化学行为及其吸附溶出伏安法测定

来源期刊：分析试验室2004年第8期

论文作者：汪振辉 张岱 张岩 周漱萍

文章页码：9 - 13

关键词：多巴酚丁胺;聚对氨基吡啶修饰电极;伏安法;电催化;

摘    要：在玻碳电极（GCE）上制备了聚对氨基吡啶（POAP）修饰膜电极,并研究了多巴酚丁胺（DBTM）在POAP电极上的电化学行为。POAP修饰电极对DBTM的氧化有良好的电催化作用。循环伏安（CV）图上出现两个氧化峰（P1,P2）和一个还原峰（P3）。在最佳实验条件下,P1氧化峰电流与DBTM浓度在9.12×10-10～8.15×10-7mol L和3.19×10-6～3.40×10-5mol L范围内呈良好线性关系,开路富集5min检出限可达9.12×10-11mol L。