具有三维连通网络结构的多孔SiC/C材料的电磁损耗特征
来源期刊：新型炭材料2010年第1期
论文作者：张劲松 孙家言 李处森 方志刚 张洪涛
关键词：SiC/C泡沫; 三维连通网络结构; 电磁损耗; 微扰法; 非本征磁损耗; SiC/C foams; Reticulated structure; Electromagnetic loss; Perturbation method; extrinsically magnetic loss;
摘 要：通过有机泡沫浸渍/高温炭化和热压固化/高温炭化两种工艺分别制备了具有宏观三维连通网络结构的SiC/C泡沫和显微三维连通多孔结构的SiC/C泡沫同质压制块.使用谐振腔微扰法对比测试了2 450 MHz频率下两种材料的电磁参数随电导率的变化.结果表明:随着电导率的增加,SiC/C泡沫及其同质压制块的介电常数实部ε_(r)'均逐渐增加;电损耗tgδ_e均先增加,达到最大值后逐渐减小;SiC/C泡沫的磁损耗tgδ_m不断增加,而其同质压制块的tgδ_m值则先快速增加,达到最大值后缓慢下降.当二者具有相同有效电导率时,SiC/C泡沫的ε_(r)'值比其同质压制块约小1/2,tgδ_e值至少大2倍,而压制块的tgδ_m值超过SiC/C泡沫4倍多.SiC/C泡沫及其同质压制块是非磁性的,它们的磁损耗均由其特殊结构与电磁场相互作用产生的,是一种非本征磁损耗.
张劲松1，孙家言1，李处森1，方志刚1，张洪涛1
(1.中国科学院,金属研究所,辽宁,沈阳,110016;
2.台州学院,机械工程学院,浙江,台州,318000)
摘要:通过有机泡沫浸渍/高温炭化和热压固化/高温炭化两种工艺分别制备了具有宏观三维连通网络结构的SiC/C泡沫和显微三维连通多孔结构的SiC/C泡沫同质压制块.使用谐振腔微扰法对比测试了2 450 MHz频率下两种材料的电磁参数随电导率的变化.结果表明:随着电导率的增加,SiC/C泡沫及其同质压制块的介电常数实部ε_(r)''均逐渐增加;电损耗tgδ_e均先增加,达到最大值后逐渐减小;SiC/C泡沫的磁损耗tgδ_m不断增加,而其同质压制块的tgδ_m值则先快速增加,达到最大值后缓慢下降.当二者具有相同有效电导率时,SiC/C泡沫的ε_(r)''值比其同质压制块约小1/2,tgδ_e值至少大2倍,而压制块的tgδ_m值超过SiC/C泡沫4倍多.SiC/C泡沫及其同质压制块是非磁性的,它们的磁损耗均由其特殊结构与电磁场相互作用产生的,是一种非本征磁损耗.
关键词:SiC/C泡沫; 三维连通网络结构; 电磁损耗; 微扰法; 非本征磁损耗; SiC/C foams; Reticulated structure; Electromagnetic loss; Perturbation method; extrinsically magnetic loss;
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