制备工艺对锌铝氧化物(ZAO)粉末红外发射率的影响
来源期刊：材料科学与工艺2010年第2期
论文作者：武晓威 冯玉杰 刘延坤 韦韩
文章页码：279 - 283
关键词：红外隐身;半导体材料;锌铝氧化物(ZAO);红外发射率;
摘 要：采用液相共沉淀法制备了ZAO掺杂半导体粉末材料,系统研究了制备工艺对ZAO粉末红外发射率的影响.借助于TG-DTA、XRD、SEM对材料的热处理温度,晶体结构及表面形貌进行了考察,利用IR-2双波段发射率测量仪对ZAO粉末材料的红外发射率进行了测试.研究结果表明:当反应物终点pH值为8.5、反应时间为2.5h、煅烧温度为800℃,煅烧时间为2h、Al2O3的掺杂量为3%时所得的ZAO粉末的红外发射率最低;ZAO掺杂半导体粉末的晶体结构为ZnO的铅锌矿结构;粒子形状近似为椭圆形,平均粒径为5～10μm;在中红外（3～5μm）和远红外（8～14μm）波段均具有较低的红外发射率.
武晓威，冯玉杰，刘延坤，韦韩
哈尔滨工业大学市政环境工程学院环境科学与工程系
摘 要：采用液相共沉淀法制备了ZAO掺杂半导体粉末材料,系统研究了制备工艺对ZAO粉末红外发射率的影响.借助于TG-DTA、XRD、SEM对材料的热处理温度,晶体结构及表面形貌进行了考察,利用IR-2双波段发射率测量仪对ZAO粉末材料的红外发射率进行了测试.研究结果表明:当反应物终点pH值为8.5、反应时间为2.5h、煅烧温度为800℃,煅烧时间为2h、Al2O3的掺杂量为3%时所得的ZAO粉末的红外发射率最低;ZAO掺杂半导体粉末的晶体结构为ZnO的铅锌矿结构;粒子形状近似为椭圆形,平均粒径为5～10μm;在中红外（3～5μm）和远红外（8～14μm）波段均具有较低的红外发射率.
关键词：红外隐身;半导体材料;锌铝氧化物(ZAO);红外发射率;
