氮化镓微米晶须及纳米线的制备与研究

冯孙齐¹，李昌义²，俞大鹏²，周江峰¹，潘华勇¹，王建朝¹

(1.北京大学介观物理国家重点实验室,北京,100871;
2.中国科学院北京半导体研究所,北京,100083)

摘要:报道了利用CVD方法大量制备超纯氮化镓微米晶须及纳米线的最新结果.利用镍、铟及其化合物等做催化剂,将金属镓放置在氨气氛中1 000℃左右进行反应,结果在衬底上获得了大量的氮化镓微米晶须,及纳米线.许多晶须还通过自组装形成了非常奇特的如梯子状的形貌.研究还发现,大部分氮化镓微米晶须的择优生长方向为<0001>方向(c轴方向).X射线衍射谱揭示,反应产物为非常纯的氮化镓晶体,而低温光致发光谱分析则发现,氮化镓微米晶须在520 nm处有一个杂质发光峰.这一研究结果有助于了解氮化镓晶体的生长机理,并可望应用于微米、纳米蓝光发光二极管等器件.

关键词:氮化镓; 晶须; 半导体纳米线; 蓝光发光二极管;

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