纳米AlN粉末的低温烧结
来源期刊：稀有金属材料与工程2005年第5期
论文作者：秦明礼 汤春峰 曲选辉 段柏华 罗铁钢 肖平安
关键词：纳米; AlN粉末; 低温烧结;
摘 要：研究了低温燃烧合成前驱物制备纳米级AlN粉末的低温烧结行为,利用XRD,SEM等手段对陶瓷粉末及烧结体进行了表征.结果表明:由于该粉末的粒径小(约为100 nm),比表面积大(17.4 m2/g),具有很好的烧结活性,在未使用烧结助剂时,在常压下1 700℃获得了致密的陶瓷材料;添加5%Y2O3烧结助剂后,AlN的烧结致密化温度又降低为1 600℃,比通常采用的比表面积低于5 m2/g的AlN粉末的烧结致密化温度降低了200℃.分析了该种粉末促进烧结的机理,并在1 650℃时制备出热导率为132.4 W·m-1·K-1的AlN陶瓷.
秦明礼1，汤春峰2，曲选辉1，段柏华2，罗铁钢1，肖平安2
(1.北京科技大学,北京,100083;
2.中南大学,湖南,长沙,410083)
摘要:研究了低温燃烧合成前驱物制备纳米级AlN粉末的低温烧结行为,利用XRD,SEM等手段对陶瓷粉末及烧结体进行了表征.结果表明:由于该粉末的粒径小(约为100 nm),比表面积大(17.4 m2/g),具有很好的烧结活性,在未使用烧结助剂时,在常压下1 700℃获得了致密的陶瓷材料;添加5%Y2O3烧结助剂后,AlN的烧结致密化温度又降低为1 600℃,比通常采用的比表面积低于5 m2/g的AlN粉末的烧结致密化温度降低了200℃.分析了该种粉末促进烧结的机理,并在1 650℃时制备出热导率为132.4 W·m-1·K-1的AlN陶瓷.
关键词:纳米; AlN粉末; 低温烧结;
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