一种新型低阻SOI P-LDMOS研究
来源期刊：功能材料与器件学报2004年第1期
论文作者：孙智林 孙伟锋 吴建辉 易扬波
关键词：LDMOS; 导通电阻; 表面注入; SOI;
摘 要：提出了一种新型SOI P-LDMOS器件,其大部分漂移区不覆盖场氧,从而避免了因生长场氧的高温过程而引起的硼杂质分凝效应,并在制备场氧、栅氧之后进行漂移区表面注入,由于注入后没有长时间的高温过程,进一步提高了漂移区表面的掺杂浓度.模拟结果表明新型P-LDMOS性能得到明显改善,与传统P-LDMOS相比开态导通电阻降低了24.7%,击穿电压提高了17.3%,饱和电流提高了26.7%.
孙智林1，孙伟锋1，吴建辉1，易扬波1
(1.东南大学,国家专用集成电路系统工程研究中心,南京,210096)
摘要:提出了一种新型SOI P-LDMOS器件,其大部分漂移区不覆盖场氧,从而避免了因生长场氧的高温过程而引起的硼杂质分凝效应,并在制备场氧、栅氧之后进行漂移区表面注入,由于注入后没有长时间的高温过程,进一步提高了漂移区表面的掺杂浓度.模拟结果表明新型P-LDMOS性能得到明显改善,与传统P-LDMOS相比开态导通电阻降低了24.7%,击穿电压提高了17.3%,饱和电流提高了26.7%.
关键词:LDMOS; 导通电阻; 表面注入; SOI;
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