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不同粒径TiO2包覆氧化锡锑后的导电性研究

来源期刊:功能材料2017年第2期

论文作者:钱建华 刘娇 许家胜 刘琳 邢锦娟

文章页码:2013 - 2019

关键词:TiO2@ATO;粒径;包覆;导电性;

摘    要:采用化学共沉淀法,在二氧化钛(TiO2)颗粒表面包覆锑(Sb)掺杂二氧化锡(SnO2)制备了TiO2@ATO导电粉体。考察了不同粒径TiO2包覆ATO后对导电性能的影响,通过XRD、XPS、SEM和TEM对粉体进行了表征。将导电粉体制成复合电极,利用电化学工作站对其进行循环伏安(C-V)和交流阻抗分析,结果表明,C-V曲线的氧化还原峰随着扫描速率的增加分别向阳极和阴极移动,C-V曲线的形状没有发生明显的变化,说明导电粉体复合电极具有较高的倍率性能以及较小的内阻;交流阻抗表明,当粒径<25nm时,高频区容抗弧半径最小,且曲线与横轴的交点值最小,同时低频区斜率较大,说明在一定范围内粒径越小,导电性能更好。上述结果表明,当TiO2粒径<25nm时,TiO2@ATO粉体的电阻最小,导电性最好,此结果与用电阻率测定仪测得电阻率的结果一致。

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不同粒径TiO2包覆氧化锡锑后的导电性研究

钱建华,刘娇,许家胜,刘琳,邢锦娟

渤海大学化学化工学院

摘 要:采用化学共沉淀法,在二氧化钛(TiO2)颗粒表面包覆锑(Sb)掺杂二氧化锡(SnO2)制备了TiO2@ATO导电粉体。考察了不同粒径TiO2包覆ATO后对导电性能的影响,通过XRD、XPS、SEM和TEM对粉体进行了表征。将导电粉体制成复合电极,利用电化学工作站对其进行循环伏安(C-V)和交流阻抗分析,结果表明,C-V曲线的氧化还原峰随着扫描速率的增加分别向阳极和阴极移动,C-V曲线的形状没有发生明显的变化,说明导电粉体复合电极具有较高的倍率性能以及较小的内阻;交流阻抗表明,当粒径<25nm时,高频区容抗弧半径最小,且曲线与横轴的交点值最小,同时低频区斜率较大,说明在一定范围内粒径越小,导电性能更好。上述结果表明,当TiO2粒径<25nm时,TiO2@ATO粉体的电阻最小,导电性最好,此结果与用电阻率测定仪测得电阻率的结果一致。

关键词:TiO2@ATO;粒径;包覆;导电性;

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