光激发荧光谱术分析Co-Cr-Al(Y)纳米涂层的氧化Ⅱ.Al2O3膜应力测量与分析
来源期刊：金属学报2003年第10期
论文作者：王福会 彭晓
关键词：光激发荧光谱术,Al2O3,残余应力,磁控溅射Co Cr Al(Y),纳米涂层;
摘 要：用光激发荧光谱术分析测量磁控溅射Co-Cr-Al(Y)纳米涂层经1000,1100和1200℃氧化后Al2O3膜中的残余应力,获得如下结果:(1)残余应力随氧化温度升高而增大;(2)暂态氧化出现的区域应力值明显低于无暂态氧化的区域;(3)两种涂层1000℃下形成的氧化膜中的残余应力相差不大,但在1100和1200℃下,含Y涂层形成的氧化膜中的残余应力比不含Y中的高.对实验结果进行了分析.
王福会1，彭晓1
(1.中国科学院金属研究所金属腐蚀与防护国家重点实验室,沈阳,110016)
摘要:用光激发荧光谱术分析测量磁控溅射Co-Cr-Al(Y)纳米涂层经1000,1100和1200℃氧化后Al2O3膜中的残余应力,获得如下结果:(1)残余应力随氧化温度升高而增大;(2)暂态氧化出现的区域应力值明显低于无暂态氧化的区域;(3)两种涂层1000℃下形成的氧化膜中的残余应力相差不大,但在1100和1200℃下,含Y涂层形成的氧化膜中的残余应力比不含Y中的高.对实验结果进行了分析.
关键词:光激发荧光谱术,Al2O3,残余应力,磁控溅射Co Cr Al(Y),纳米涂层;
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