不同厚度对分子束外延生长GaSb薄膜的影响
来源期刊：功能材料2008年第10期
论文作者：李美成 张保顺 赵连城 刘国军 李林 邱永鑫 熊丽
关键词：分子束外延; GaSb; 缓冲层; 厚度;
摘 要：采用分子束外延(MBE)在GaAs衬底上生长GaSb薄膜,为了减小因晶格失配度较大所引起的位错密度,采用低温GaSb作为缓冲层.通过X射线双晶衍射仪和原子力显微镜分析得出,当低温GaSb缓冲层的厚度为20nm时,GaSb外延层中的位错密度最小,晶体质量最好.此外,缓冲层和外延层的厚度共同对GaSb薄膜晶体质量和表面形貌产生影响.
李美成1，张保顺2，赵连城1，刘国军2，李林2，邱永鑫1，熊丽3
(1.哈尔滨工业大学,材料学院,黑龙江,哈尔滨,150001;
2.长春理工大学,材料学院,吉林,长春130022;
3.哈尔滨工业大学(威海)
摘要:采用分子束外延(MBE)在GaAs衬底上生长GaSb薄膜,为了减小因晶格失配度较大所引起的位错密度,采用低温GaSb作为缓冲层.通过X射线双晶衍射仪和原子力显微镜分析得出,当低温GaSb缓冲层的厚度为20nm时,GaSb外延层中的位错密度最小,晶体质量最好.此外,缓冲层和外延层的厚度共同对GaSb薄膜晶体质量和表面形貌产生影响.
关键词:分子束外延; GaSb; 缓冲层; 厚度;
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