化学法在Ni-5%W基底上制备Gd掺杂CeO2膜
来源期刊：稀有金属材料与工程2015年第2期
论文作者：李英楠 李凤华 罗清威 樊占国 李成山 卢亚峰
文章页码：443 - 446
关键词：化学法;Ni-5%W基底;掺杂;Ce O2;
摘 要：用化学法在Ni-5%W基底上制备Gd掺杂Ce O2膜。以乙酸铈（（CH3CO2）3Ce（III））、硝酸钆（Gd N3O9）为起始原料,按照阳离子Ce3+:Gd3+为4:1的比例溶解于丙酸（C2H5COOH）中制成前驱液。将前驱液旋涂在Ni-5%W基底上,在4%H2/Ar气氛下进行1100℃热处理,形成立方织构的Gd掺杂Ce O2膜。采用XRD和SEM对不同旋涂转速工艺制备的Ce O2膜进行晶体结构和微观形貌的检测和分析。以总阳离子浓度为1.2 mol/L前驱液经过3000 r/min,60 s的涂覆工艺,经过二次涂覆和1100℃热处理的Ce O2膜结晶程度高,无裂纹,有立方织构。Ce3+在4%H2/Ar还原性气氛里可以转变为Ce4+。
李英楠1，李凤华1，罗清威1，樊占国1，李成山2，卢亚峰2
1. 东北大学2. 西北有色金属研究院
摘 要：用化学法在Ni-5%W基底上制备Gd掺杂Ce O2膜。以乙酸铈（（CH3CO2）3Ce（III））、硝酸钆（Gd N3O9）为起始原料,按照阳离子Ce3+:Gd3+为4:1的比例溶解于丙酸（C2H5COOH）中制成前驱液。将前驱液旋涂在Ni-5%W基底上,在4%H2/Ar气氛下进行1100℃热处理,形成立方织构的Gd掺杂Ce O2膜。采用XRD和SEM对不同旋涂转速工艺制备的Ce O2膜进行晶体结构和微观形貌的检测和分析。以总阳离子浓度为1.2 mol/L前驱液经过3000 r/min,60 s的涂覆工艺,经过二次涂覆和1100℃热处理的Ce O2膜结晶程度高,无裂纹,有立方织构。Ce3+在4%H2/Ar还原性气氛里可以转变为Ce4+。
关键词：化学法;Ni-5%W基底;掺杂;Ce O2;
